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NCE603S-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- NCE603S-VB
- 商品编号
- C710025
- 商品封装
- SOP-8
- 商品毛重
- 0.000175千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):40pF,导通电阻(RDS(on)):-,导通电阻(RDS(on)):55mΩ@10V,3.1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):8nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):665pF,连续漏极电流(Id):5.3A,阈值电压(Vgs(th)):1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V,3.1A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 665pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.42/个 |
| 10+ | ¥2.77/个 |
| 30+ | ¥2.44/个 |
| 100+ | ¥2.12/个 |
| 500+ | ¥1.84/个 |
| 1000+ | ¥1.74/个 |
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