反向传输电容(Crss):5pF@50V,导通电阻(RDS(on)):720mΩ@4.5V,0.8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):1.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):100pF@50V,连续漏极电流(Id):1A,阈值电压(Vgs(th)):2.3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5pF@50V | |
导通电阻(RDS(on)) | 720mΩ@4.5V,0.8A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 1.4W | |
输入电容(Ciss) | 100pF@50V | |
连续漏极电流(Id) | 1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.779/个 |
50+ | ¥0.626/个 |
150+ | ¥0.55/个 |
500+ | ¥0.492/个 |
3000+ | ¥0.398/个 |
6000+ | ¥0.376/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.36616
3000 PCS/盘
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