反向传输电容(Crss):1.63pF,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):28W,输入电容(Ciss):57.6pF,输出电容(Coss):34.8pF,阈值电压(Vgs(th)):1.7V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.63pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 输入电容(Ciss) | 57.6pF | |
| 输出电容(Coss) | 34.8pF | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥30.18/个 |
| 20+ | ¥26.08/个 |
| 60+ | ¥22.72/个 |
| 200+ | ¥20.25/个 |
| 1000+ | ¥19.11/个 |
| 2000+ | ¥18.6/个 |
整盘
单价
整盘单价¥17.5812
1000 PCS/盘
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