反向传输电容(Crss):11pF,导通电阻(RDS(on)):0.12Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):30nC,漏源电压(Vdss):500V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):151W,输入电容(Ciss):1440pF,输出电容(Coss):370pF,连续漏极电流(Id):24A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.12Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 151W | |
| 输入电容(Ciss) | 1440pF | |
| 输出电容(Coss) | 370pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥10.58/个 |
| 10+ | ¥8.89/个 |
| 30+ | ¥7.83/个 |
| 100+ | ¥6.75/个 |
| 660+ | ¥6.26/个 |
| 990+ | ¥6.05/个 |
整盘
单价
整盘单价¥6.21
330 PCS/盘
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