反向传输电容(Crss):10pF@15V,导通电阻(RDS(on)):240mΩ@4.5V,400mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.15W,输入电容(Ciss):88pF@15V,输出电容(Coss):15pF,连续漏极电流(Id):400mA,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 10pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@4.5V,400mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.15W | |
输入电容(Ciss) | 88pF@15V | |
输出电容(Coss) | 15pF | |
连续漏极电流(Id) | 400mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.284/个 |
100+ | ¥0.226/个 |
300+ | ¥0.197/个 |
3000+ | ¥0.158/个 |
6000+ | ¥0.141/个 |
12000+ | ¥0.132/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.158
3000 PCS/盘