反向传输电容(Crss):190pF@4V,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@4.5V,4.1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):7.8nC@4.5V,漏源电压(Vdss):15V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):1500pF@4V,输出电容(Coss):280pF,连续漏极电流(Id):4.8A,阈值电压(Vgs(th)):0.45V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF@4V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V,4.1A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 15V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 输入电容(Ciss) | 1500pF@4V | |
| 输出电容(Coss) | 280pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.45V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.217/个 |
| 100+ | ¥0.212/个 |
| 300+ | ¥0.209/个 |
| 1000+ | ¥0.206/个 |
| 1020+ | ¥0.206/个 |
| 1040+ | ¥0.206/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.191
3000 PCS/盘
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