反向传输电容(Crss):69pF@15V,导通电阻(RDS(on)):26mΩ@4.5V,4A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):9.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1.2W,输入电容(Ciss):854pF@15V,连续漏极电流(Id):5.5A,阈值电压(Vgs(th)):700mV
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 69pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V,4A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 1.2W | |
输入电容(Ciss) | 854pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.48/个 |
50+ | ¥0.381/个 |
150+ | ¥0.331/个 |
500+ | ¥0.294/个 |
3000+ | ¥0.258/个 |
6000+ | ¥0.243/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.244
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