反向传输电容(Crss):12pF@5V,导通电阻(RDS(on)):1.2Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):1.6nC@10V,漏源电压(Vdss):50V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.37W,输入电容(Ciss):36pF,输出电容(Coss):22pF,连续漏极电流(Id):0.25A,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.37W | |
| 输入电容(Ciss) | 36pF | |
| 输出电容(Coss) | 22pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.25A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.577/个 |
| 50+ | ¥0.41/个 |
| 150+ | ¥0.315/个 |
| 500+ | ¥0.281/个 |
| 3000+ | ¥0.253/个 |
| 6000+ | ¥0.239/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.253
3000 PCS/盘