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FQD11P06TM
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FQD11P06TM
- 商品编号
- C719783
- 商品封装
- DPAK
- 商品毛重
- 0.000477千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):60pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.185Ω@10V,4.7A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):17nC@48V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):2.5W,耗散功率(Pd):38W,输入电容(Ciss):550pF@25V,连续漏极电流(Id):9.4A,阈值电压(Vgs(th)):-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.185Ω@10V,4.7A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@48V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.01/个 |
| 10+ | ¥4.92/个 |
| 30+ | ¥4.32/个 |
| 100+ | ¥3.65/个 |
| 500+ | ¥3.35/个 |
| 1000+ | ¥3.21/个 |
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