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TF412ST5G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- TF412ST5G
- 商品编号
- C719800
- 商品封装
- SOT-883-3
- 商品毛重
- 0.000012千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
FET类型:N沟道,反向传输电容(Crss):1.1pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅源击穿电压(Vgss):30V,栅源截止电压(VGS(off)):0.8V,漏源电流(Idss):3mA,耗散功率(Pd):100mW,输入电容(Ciss):4pF,输出电容(Coss):-,配置:-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| FET类型 | N沟道 | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 0.8V | |
| 漏源电流(Idss) | 3mA | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 输入电容(Ciss) | 4pF | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 配置 | - |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.529/个 |
| 50+ | ¥1.201/个 |
| 150+ | ¥1.0609/个 |
| 500+ | ¥0.886/个 |
| 2500+ | ¥0.808/个 |
| 5000+ | ¥0.761/个 |
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