反向传输电容(Crss):4pF@25V,导通电阻(RDS(on)):1.1Ω@10V,500mA,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):5.7nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):1A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 4pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V,500mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 5.7nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥3.46/个 |
10+ | ¥3.38/个 |
30+ | ¥3.33/个 |
100+ | ¥3.27/个 |
102+ | ¥3.27/个 |
104+ | ¥3.27/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.0084
4000 PCS/盘
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