反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):27nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):3.3W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 3.3W | |
输入电容(Ciss) | - | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.448/个 |
10+ | ¥1.938/个 |
30+ | ¥1.717/个 |
100+ | ¥1.445/个 |
500+ | ¥1.148/个 |
1000+ | ¥1.071/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.071
2500 PCS/盘