温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
NDF02N60ZG-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- NDF02N60ZG-VB
- 商品编号
- C725123
- 商品封装
- TO-220F
- 商品毛重
- 0.00238千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):5pF@1V,导通电阻(RDS(on)):4Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):11nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):25W,输入电容(Ciss):1000pF,输出电容(Coss):45pF,连续漏极电流(Id):2A,阈值电压(Vgs(th)):4V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@1V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 输入电容(Ciss) | 1000pF | |
| 输出电容(Coss) | 45pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.418/个 |
| 10+ | ¥1.661/个 |
| 50+ | ¥1.206/个 |
| 100+ | ¥1.0485/个 |
| 500+ | ¥0.954/个 |
| 1000+ | ¥0.909/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥1.206
50 PCS/盘
库存总量
82 PCS电话
顶部
元器件购物车