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NTD4860NT4G-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- NTD4860NT4G-VB
- 商品编号
- C725132
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.000503千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):270pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):31.5nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):3.75W,输入电容(Ciss):2201pF,输出电容(Coss):525pF,连续漏极电流(Id):25.8A,阈值电压(Vgs(th)):1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W | |
| 输入电容(Ciss) | 2201pF | |
| 输出电容(Coss) | 525pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 25.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.173/个 |
| 10+ | ¥1.148/个 |
| 30+ | ¥1.131/个 |
| 100+ | ¥1.114/个 |
| 102+ | ¥1.114/个 |
| 104+ | ¥1.114/个 |
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