反向传输电容(Crss):2pF,导通电阻(RDS(on)):2.8Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):0.4nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.3W,输入电容(Ciss):25pF,输出电容(Coss):5pF,连续漏极电流(Id):250mA,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 2pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 0.4nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.3W | |
输入电容(Ciss) | 25pF | |
输出电容(Coss) | 5pF | |
连续漏极电流(Id) | 250mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.19/个 |
100+ | ¥0.186/个 |
300+ | ¥0.183/个 |
1000+ | ¥0.18/个 |
1020+ | ¥0.18/个 |
1040+ | ¥0.18/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.1656
3000 PCS/盘
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