温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
RU30L30M-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- RU30L30M-VB
- 商品编号
- C725148
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 商品毛重
- 0.000075千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):322pF@15V,导通电阻(RDS(on)):11mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):18mΩ@4.5V,工作温度:-50℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,栅极电荷量(Qg):14nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):52W,输入电容(Ciss):2000pF@15V,连续漏极电流(Id):45A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 322pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 输入电容(Ciss) | 2000pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.17/个 |
| 10+ | ¥2.12/个 |
| 30+ | ¥2.09/个 |
| 100+ | ¥2.05/个 |
| 102+ | ¥2.05/个 |
| 104+ | ¥2.05/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥1.886
5000 PCS/盘
省
嘉立创补贴8%
一盘能省掉820元
送
换料费券¥300
库存总量
200 PCS电话
顶部
元器件购物车