反向传输电容(Crss):1.3pF,导通电阻(RDS(on)):0.255Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):21.5nC@480V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):110W,输入电容(Ciss):791pF,连续漏极电流(Id):13A,阈值电压(Vgs(th)):2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.255Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.5nC@480V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 输入电容(Ciss) | 791pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥8.99/个 |
| 10+ | ¥7.62/个 |
| 50+ | ¥6.87/个 |
| 100+ | ¥6.01/个 |
| 500+ | ¥5.64/个 |
| 1000+ | ¥5.47/个 |
整盘
单价
整盘单价¥6.3204
50 PCS/盘
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