导通电阻(RDS(on)):1.6Ω@10V,500mA,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):0.6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):50V,耗散功率(Pd):370mW,输入电容(Ciss):46pF@25V,连续漏极电流(Id):500mA,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V,500mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.6nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 370mW | |
| 输入电容(Ciss) | 46pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.28/个 |
| 10+ | ¥2.23/个 |
| 30+ | ¥2.2/个 |
| 100+ | ¥2.17/个 |
| 102+ | ¥2.17/个 |
| 104+ | ¥2.17/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.9964
10000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉1736元