导通电阻(RDS(on)):1.6Ω@10V,500mA,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):0.6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):50V,耗散功率(Pd):370mW,输入电容(Ciss):46pF@25V,连续漏极电流(Id):500mA,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V,500mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 0.6nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 50V | |
耗散功率(Pd) | 370mW | |
输入电容(Ciss) | 46pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 500mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.59/个 |
10+ | ¥1.56/个 |
30+ | ¥1.54/个 |
100+ | ¥1.51/个 |
102+ | ¥1.51/个 |
104+ | ¥1.51/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.3892
10000 PCS/盘
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