反向传输电容(Crss):6pF,反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):0.28Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.94Ω@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):1nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):1.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):1.5W,输入电容(Ciss):38pF,输入电容(Ciss):40pF,输出电容(Coss):14pF,输出电容(Coss):14pF,连续漏极电流(Id):0.85A,阈值电压(Vgs(th)):1.8V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 6pF | |
反向传输电容(Crss) | 5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.28Ω@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.94Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
栅极电荷量(Qg) | 1.2nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道+P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.5W | |
输入电容(Ciss) | 38pF | |
输入电容(Ciss) | 40pF | |
输出电容(Coss) | 14pF | |
输出电容(Coss) | 14pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.85A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.696/个 |
50+ | ¥1.335/个 |
150+ | ¥1.179/个 |
500+ | ¥0.946/个 |
3000+ | ¥0.864/个 |
6000+ | ¥0.814/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.79488
3000 PCS/盘
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