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SI2315BDS-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI2315BDS-T1-GE3
- 商品编号
- C727433
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000035千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):200pF,导通电阻(RDS(on)):50mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@4.5V,漏源电压(Vdss):12V,耗散功率(Pd):0.75W,输入电容(Ciss):715pF,连续漏极电流(Id):3.85A,阈值电压(Vgs(th)):0.45V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.75W | |
| 输入电容(Ciss) | 715pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.85A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.45V |
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