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SI1499DH-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI1499DH-T1-GE3
- 商品编号
- C727434
- 商品封装
- SOT-363
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):78mΩ@4.5V,2A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):16nC@4.5V,漏源电压(Vdss):8V,耗散功率(Pd):2.78W,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):650pF@4V,连续漏极电流(Id):1.6A,阈值电压(Vgs(th)):800mV
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@4.5V,2A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.78W | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF@4V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.08/个 |
| 10+ | ¥3.98/个 |
| 30+ | ¥3.91/个 |
| 100+ | ¥3.84/个 |
| 102+ | ¥3.84/个 |
| 104+ | ¥3.84/个 |
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