SI2333DS-T1-GE3实物图
SI2333DS-T1-GE3缩略图
SI2333DS-T1-GE3缩略图
SI2333DS-T1-GE3缩略图
温馨提示:图片仅供参考,商品以实物为准

SI2333DS-T1-GE3

扩展库
品牌名称
VISHAY(威世)
厂家型号
SI2333DS-T1-GE3
商品编号
C727544
商品封装
SOT-23-3
商品毛重
0.000041千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):300pF@6V,导通电阻(RDS(on)):0.032Ω@4.5V,5.3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):18nC@4.5V,漏源电压(Vdss):12V,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):1100pF@6V,连续漏极电流(Id):5.3A,阈值电压(Vgs(th)):1V

找到类似商品:0查看类似商品
属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)300pF@6V
导通电阻(RDS(on))0.032Ω@4.5V,5.3A
工作温度-55℃~+150℃
数量1个P沟道
栅极电荷量(Qg)18nC@4.5V
漏源电压(Vdss)12V
耗散功率(Pd)1.25W
输入电容(Ciss)1100pF@6V
连续漏极电流(Id)5.3A
阈值电压(Vgs(th))1V

数据手册PDF

放大查看

无法嵌入内容,点击此处查看

阶梯价格(含税价)

梯度售价
1+¥2.94/个
10+¥2.28/个
30+¥2/个
100+¥1.617/个
500+¥1.47/个
1000+¥1.372/个

嘉立创SMT补贴

整盘

单价

整盘单价¥1.372

3000 PCS/盘

换料费券¥300

库存总量

6602 PCS
电话
顶部
元器件购物车