反向传输电容(Crss):300pF@6V,导通电阻(RDS(on)):0.032Ω@4.5V,5.3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):18nC@4.5V,漏源电压(Vdss):12V,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):1100pF@6V,连续漏极电流(Id):5.3A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 300pF@6V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.032Ω@4.5V,5.3A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 18nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 12V | |
耗散功率(Pd) | 1.25W | |
输入电容(Ciss) | 1100pF@6V | |
连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.94/个 |
10+ | ¥2.28/个 |
30+ | ¥2/个 |
100+ | ¥1.617/个 |
500+ | ¥1.47/个 |
1000+ | ¥1.372/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.372
3000 PCS/盘