反向传输电容(Crss):40pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.155Ω@10V,8.4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):12.5nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):-,耗散功率(Pd):20.8W,输入电容(Ciss):450pF@25V,连续漏极电流(Id):8.4A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 40pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.155Ω@10V,8.4A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | - | |
耗散功率(Pd) | 20.8W | |
输入电容(Ciss) | 450pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 8.4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥3.375/个 |
10+ | ¥3.375/个 |
30+ | ¥3.375/个 |
100+ | ¥3.375/个 |
500+ | ¥3.006/个 |
1000+ | ¥3.006/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.006
2000 PCS/盘