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FDV302P
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDV302P
- 商品编号
- C73054
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.00003千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):1.4pF,导通电阻(RDS(on)):10Ω@4.5V,0.2A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):0.31nC@5V,漏源电压(Vdss):25V,耗散功率(Pd):0.35W,输入电容(Ciss):11pF@10V,连续漏极电流(Id):0.12A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@4.5V,0.2A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.31nC@5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.35W | |
| 输入电容(Ciss) | 11pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.12A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.219/个 |
| 100+ | ¥0.215/个 |
| 300+ | ¥0.212/个 |
| 1000+ | ¥0.209/个 |
| 1020+ | ¥0.209/个 |
| 1040+ | ¥0.209/个 |
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