块擦除时间(tBE):2ms,存储容量:1Gbit,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:1.7V~1.95V,接口类型:Parallel,数据保留 - TDR(年):10年,页写入时间(Tpp):220us
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 页写入时间(Tpp) | 220us |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥46.55/个 |
| 10+ | ¥40.03/个 |
| 30+ | ¥36.06/个 |
| 100+ | ¥32.73/个 |
| 102+ | ¥32.73/个 |
| 104+ | ¥32.73/个 |
整盘
单价
整盘单价¥30.1116
1000 PCS/盘
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