反向传输电容(Crss):5pF@25V,导通电阻(RDS(on)):7.5Ω@300m,10V,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):200mW,输入电容(Ciss):50pF@25V,连续漏极电流(Id):300mA,阈值电压(Vgs(th)):2.1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@300m,10V | |
工作温度 | -40℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 200mW | |
输入电容(Ciss) | 50pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 300mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.142/个 |
200+ | ¥0.111/个 |
600+ | ¥0.0936/个 |
3000+ | ¥0.0749/个 |
9000+ | ¥0.0659/个 |
21000+ | ¥0.0611/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.06891
3000 PCS/盘
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