反向传输电容(Crss):30pF,导通电阻(RDS(on)):0.14Ω@10V,2A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):14nC,漏源电压(Vdss):55V,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):230pF,连续漏极电流(Id):2A,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.14Ω@10V,2A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 230pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.802/个 |
| 50+ | ¥1.409/个 |
| 150+ | ¥1.24/个 |
| 500+ | ¥0.984/个 |
| 2500+ | ¥0.891/个 |
| 5000+ | ¥0.835/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.81972
2500 PCS/盘
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