反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):105mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):23nC,栅极电荷量(Qg):23nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):190W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):28.8A,阈值电压(Vgs(th)):6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 28.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥84.79/个 |
| 10+ | ¥81.82/个 |
| 12+ | ¥81.82/个 |
| 14+ | ¥81.82/个 |
| 16+ | ¥81.82/个 |
| 18+ | ¥81.82/个 |
整盘
单价
整盘单价¥81.819
800 PCS/盘