写周期时间(Tw):250us,块擦除时间(tBE):-,存储容量:4Gbit,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:2.7V~3.6V,待机电流:20uA,接口类型:SPI,擦写寿命:60000次,数据保留 - TDR(年):-,时钟频率(fc):104MHz,页写入时间(Tpp):250us
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 写周期时间(Tw) | 250us | |
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 20uA | |
| 接口类型 | SPI | |
| 擦写寿命 | 60000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 时钟频率(fc) | 104MHz | |
| 页写入时间(Tpp) | 250us |