导通电阻(RDS(on)):3Ω@10V,2A,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):800V,耗散功率(Pd):50W,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,2A | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 800V | |
耗散功率(Pd) | 50W | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.181/个 |
50+ | ¥1.713/个 |
150+ | ¥1.512/个 |
500+ | ¥1.261/个 |
2500+ | ¥1.112/个 |
5000+ | ¥1.0446/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.02304
2500 PCS/盘
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