NAND工作电压(VCCF):2.7V~3.6V,存储容量:128GB,工作温度:-25℃~+85℃,工作电压:2.7V~3.6V,接口类型:eMMC 5.1,控制器工作电压(VCCQ):1.7V~1.95V,控制器工作电压(VCCQ):2.7V~3.6V,配置:TLC,随机读/写:8000/7000 iops,顺序写速度:190MB/S,顺序读/写:295/190 MB/s,顺序读速度:295MB/S
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | eMMC | |
NAND工作电压(VCCF) | 2.7V~3.6V | |
存储容量 | 128GB | |
工作温度 | -25℃~+85℃ | |
工作电压 | 2.7V~3.6V | |
接口类型 | eMMC 5.1 | |
控制器工作电压(VCCQ) | 1.7V~1.95V | |
控制器工作电压(VCCQ) | 2.7V~3.6V | |
配置 | TLC | |
随机读/写 | 8000/7000 iops | |
顺序写速度 | 190MB/S | |
顺序读/写 | 295/190 MB/s | |
顺序读速度 | 295MB/S |