写周期时间(Tw):10ns,块擦除时间(tBE):3.5ms,存储容量:2Gbit,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:1.7V~1.95V,待机电流:100uA,接口类型:SPI,擦写寿命:50000次,数据保留 - TDR(年):10年,时钟频率(fc):108MHz,页写入时间(Tpp):360us
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 写周期时间(Tw) | 10ns | |
| 块擦除时间(tBE) | 3.5ms | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 待机电流 | 100uA | |
| 接口类型 | SPI | |
| 擦写寿命 | 50000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 时钟频率(fc) | 108MHz | |
| 页写入时间(Tpp) | 360us |