射基极击穿电压(Vebo):5V,晶体管类型:NPN,直流电流增益(hFE):1000@1mA,5V,耗散功率(Pd):400mW,集射极击穿电压(Vceo):45V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.3V@100mA,5mA,集电极截止电流(Icbo):50nA,集电极电流(Ic):100mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
晶体管类型 | NPN | |
直流电流增益(hFE) | 1000@1mA,5V | |
耗散功率(Pd) | 400mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.3V@100mA,5mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
集电极电流(Ic) | 100mA |