射基极击穿电压(Vebo):5V,晶体管类型:PNP,直流电流增益(hFE):475@2mA,5V,耗散功率(Pd):350mW,集射极击穿电压(Vceo):65V,集电极截止电流(Icbo):15nA,集电极电流(Ic):100mA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
晶体管类型 | PNP | |
直流电流增益(hFE) | 475@2mA,5V | |
耗散功率(Pd) | 350mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 65V | |
集电极截止电流(Icbo) | 15nA | |
集电极电流(Ic) | 100mA |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥0.104/个 |
500+ | ¥0.0804/个 |
3000+ | ¥0.0675/个 |
6000+ | ¥0.0598/个 |
24000+ | ¥0.0531/个 |
51000+ | ¥0.0495/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.0621
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉16.2元