射基极击穿电压(Vebo):5V,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):80MHz,直流电流增益(hFE):600@100mA,1V,耗散功率(Pd):250mW,集射极击穿电压(Vceo):45V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.7V@500mA,50mA,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):500mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 80MHz | |
直流电流增益(hFE) | 600@100mA,1V | |
耗散功率(Pd) | 250mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.7V@500mA,50mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
集电极电流(Ic) | 500mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.0829/个 |
500+ | ¥0.0646/个 |
3000+ | ¥0.0544/个 |
6000+ | ¥0.0483/个 |
24000+ | ¥0.043/个 |
51000+ | ¥0.0402/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.05005
3000 PCS/盘
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