反向传输电容(Crss):210pF@10V,导通电阻(RDS(on)):26mΩ@2.5V,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12.5nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):500pF@10V,连续漏极电流(Id):4.5A,阈值电压(Vgs(th)):0.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.176/个 |
| 200+ | ¥0.137/个 |
| 600+ | ¥0.116/个 |
| 3000+ | ¥0.103/个 |
| 9000+ | ¥0.0913/个 |
| 21000+ | ¥0.0852/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.09476
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