反向传输电容(Crss):271pF@10V,导通电阻(RDS(on)):6mΩ,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):23nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):38W,输入电容(Ciss):1832pF@10V,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):0.7V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 271pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 输入电容(Ciss) | 1832pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.7V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.421/个 |
| 100+ | ¥0.33/个 |
| 300+ | ¥0.284/个 |
| 2500+ | ¥0.249/个 |
| 5000+ | ¥0.222/个 |
| 10000+ | ¥0.208/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.22908
2500 PCS/盘
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