射基极击穿电压(Vebo):7V,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):8MHz,直流电流增益(hFE):30,耗散功率(Pd):300mW,集射极击穿电压(Vceo):420V,集射极饱和电压(VCE(sat)):500mV,集电极截止电流(Icbo):100uA,集电极电流(Ic):200mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 8MHz | |
直流电流增益(hFE) | 30 | |
耗散功率(Pd) | 300mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 420V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
集电极截止电流(Icbo) | 100uA | |
集电极电流(Ic) | 200mA |