射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):50MHz,直流电流增益(hFE):80@10mA,10V,耗散功率(Pd):300mW,集射极击穿电压(Vceo):400V,集射极饱和电压(VCE(sat)):200mV,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):200mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 50MHz | |
直流电流增益(hFE) | 80@10mA,10V | |
耗散功率(Pd) | 300mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 400V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV | |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
集电极电流(Ic) | 200mA |