反向传输电容(Crss):85pF,导通电阻(RDS(on)):28mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):42mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.2W,输入电容(Ciss):820pF,输出电容(Coss):118pF,连续漏极电流(Id):5.6A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 820pF | |
| 输出电容(Coss) | 118pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.48/个 |
| 100+ | ¥0.384/个 |
| 300+ | ¥0.336/个 |
| 3000+ | ¥0.3/个 |
| 6000+ | ¥0.271/个 |
| 9000+ | ¥0.257/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.276
3000 PCS/盘
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