反向传输电容(Crss):119pF@30V,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):46nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):110W,输入电容(Ciss):2598pF,输出电容(Coss):121pF,连续漏极电流(Id):32A,阈值电压(Vgs(th)):2.4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 119pF@30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 输入电容(Ciss) | 2598pF | |
| 输出电容(Coss) | 121pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.98/个 |
| 50+ | ¥1.535/个 |
| 150+ | ¥1.355/个 |
| 500+ | ¥1.13/个 |
| 2000+ | ¥1.0305/个 |
| 5000+ | ¥0.97/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.4122
50 PCS/盘
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