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GT023N10M
扩展库- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 厂家型号
- GT023N10M
- 商品编号
- C7465317
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.001692千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):25pF@50V,导通电阻(RDS(on)):2.2mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):121nC@50V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):250W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):226A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4.3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@50V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 121nC@50V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 226A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥10.38/个 |
| 10+ | ¥8.79/个 |
| 30+ | ¥7.79/个 |
| 100+ | ¥6.77/个 |
| 500+ | ¥6.3/个 |
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