导通电阻(RDS(on)):3.7mΩ@10V,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):305nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):280W,连续漏极电流(Id):160A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 305nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 280W | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥8.75/个 |
| 10+ | ¥7.23/个 |
| 50+ | ¥6.4/个 |
| 100+ | ¥5.46/个 |
| 500+ | ¥5.04/个 |
| 1000+ | ¥4.85/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.888
50 PCS/盘
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