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GT6K2P10IH
扩展库- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 厂家型号
- GT6K2P10IH
- 商品编号
- C7465409
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000041千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):5pF@50V,导通电阻(RDS(on)):545mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):10nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):253pF@50V,输出电容(Coss):25pF,连续漏极电流(Id):1A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@50V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 545mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 输入电容(Ciss) | 253pF@50V | |
| 输出电容(Coss) | 25pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.288/个 |
| 50+ | ¥0.281/个 |
| 150+ | ¥0.277/个 |
| 500+ | ¥0.272/个 |
| 510+ | ¥0.272/个 |
| 520+ | ¥0.272/个 |
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