反向传输电容(Crss):5pF@25V,导通电阻(RDS(on)):6Ω@10V,500mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):1.7nC@15V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):350mW,输入电容(Ciss):23pF@25V,连续漏极电流(Id):185mA,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V,500mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@15V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 350mW | |
输入电容(Ciss) | 23pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 185mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.795/个 |
50+ | ¥0.627/个 |
150+ | ¥0.543/个 |
500+ | ¥0.479/个 |
3000+ | ¥0.429/个 |
6000+ | ¥0.404/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.39468
3000 PCS/盘
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