反向传输电容(Crss):20pF@16V,导通电阻(RDS(on)):0.9Ω@1.8V,410mA,工作温度:-65℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):0.9nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):350mW,输入电容(Ciss):150pF@16V,连续漏极电流(Id):630mA,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 20pF@16V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.9Ω@1.8V,410mA | |
工作温度 | -65℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 0.9nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 350mW | |
输入电容(Ciss) | 150pF@16V | |
连续漏极电流(Id) | 630mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥0.447/个 |
100+ | ¥0.351/个 |
300+ | ¥0.303/个 |
3000+ | ¥0.255/个 |
6000+ | ¥0.227/个 |
9000+ | ¥0.212/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.2346
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉61.2元