反向传输电容(Crss):20pF,导通电阻(RDS(on)):0.69Ω@10V,栅极电荷量(Qg):28nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,耗散功率(Pd):50W,输入电容(Ciss):1012pF,输出电容(Coss):160pF,连续漏极电流(Id):9A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.69Ω@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 输入电容(Ciss) | 1012pF | |
| 输出电容(Coss) | 160pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.737/个 |
| 50+ | ¥1.364/个 |
| 150+ | ¥1.204/个 |
| 500+ | ¥1.0042/个 |
| 2000+ | ¥0.915/个 |
| 5000+ | ¥0.862/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.25488
50 PCS/盘
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