反向传输电容(Crss):20pF,导通电阻(RDS(on)):72mΩ@10V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6nC,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):247pF,输出电容(Coss):34pF,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@10V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 输入电容(Ciss) | 247pF | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.298/个 |
| 100+ | ¥0.236/个 |
| 300+ | ¥0.204/个 |
| 3000+ | ¥0.181/个 |
| 6000+ | ¥0.162/个 |
| 9000+ | ¥0.153/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.16652
3000 PCS/盘
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