导通电阻(RDS(on)):70mΩ@4.5V,2A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):500mW,输入电容(Ciss):779pF@10V,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V,2A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 500mW | |
输入电容(Ciss) | 779pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.0667/个 |
50+ | ¥0.85/个 |
150+ | ¥0.757/个 |
500+ | ¥0.641/个 |
3000+ | ¥0.513/个 |
6000+ | ¥0.482/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.47196
3000 PCS/盘
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