导通电阻(RDS(on)):55mΩ@4.5V,2.4A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):11nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):510mW,输入电容(Ciss):1000pF@10V,连续漏极电流(Id):3.5A,阈值电压(Vgs(th)):1.25V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V,2.4A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 510mW | |
输入电容(Ciss) | 1000pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.627/个 |
50+ | ¥0.492/个 |
150+ | ¥0.425/个 |
500+ | ¥0.375/个 |
3000+ | ¥0.334/个 |
6000+ | ¥0.314/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.30728
3000 PCS/盘
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